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Si4472DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
V GS = 10 V thr u 7 V
1.2
4 8
36
V GS = 6 V
0.9
T C = 125 °C
0.6
24
T C = 25 °C
0.3
12
0
V GS = 5 V
0.0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
0.055
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.051
0.047
0.043
0.039
0.035
V GS = 8 V
V GS = 10 V
1600
1200
8 00
400
0
C rss
C oss
C iss
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 50 V
2.1
I D = 5 A
V GS = 10 V
V DS = 75 V
6
4
2
0
V DS = 100 V
1.7
1.3
0.9
0.5
V GS = 8 V
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74283
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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